打破日韩美技术垄断！中国芯实现突破，院士倪光南盛赞：意义重大众所周知

众所周知，在芯片行业我国处于弱势地位，很多芯片非常依赖进口。
根据调研机构ICInsights的数据统计，去年我国IC芯片的市场规模达到1434亿美元，其中国产芯片只有83亿美元，市场份额仅为5.9% 。可以说，我们实现芯片自主化的目标任重而道远。
总体来看，我国在芯片产业上全面落后，仅在个别细分领域达到了国际先进水平。比如芯片设计方面，我国的华为海思和紫光展锐都取得了令人瞩目的成就。

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华为海思设计的麒麟手机芯片在性能上可以与高通、苹果等美国巨头比肩，还曾超越联发科登顶亚洲第一大芯片设计企业。
然而由于华为在全球科技行业当中太耀眼而遭遇打压，海思的生存也越发艰难。
手机芯片领域的情况还算是好的，虽然海思因为外力受到挫折，紫光展锐却成长起来了，成为继高通、联发科之后第三家有能力量产5G芯片的第三方芯片企业。手机芯片出货量也是节节攀升，位居全球第四大手机芯片供应商。

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而在存储芯片领域，我们比国外企业差得更多。存储芯片有DRAM内存芯片和NAND闪存芯片两个主流分支，在各行各业的应用非常广泛。例如智能手机宣传的12G+512G存储，其中12G运行内存就是DRAM芯片， 512G存储芯片则是NAND闪存芯片。
在全球NAND闪存芯片市场，由美日韩三国的芯片企业主导。全球前6大NAND闪存巨头分别是三星、铠侠（东芝）、西部数据、海力士、英特尔、美光，累计市场份额超过98% 。基本没有给其他企业留出生存空间。

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但是正如鲁迅所说，这世上本没有路，走的人多了，也就成了路。中国芯片的崛起之路势必要挤压现有市场上6大存储巨头的市场份额，没有生存空间那就从他们手里抢。
近期一家中国芯片企业就一马当先，打破美日韩三国企业的技术垄断，另辟蹊径突破闪存芯片的核心技术，并获得中国工程院院士倪光南的高度赞扬。
据证券时报的消息，国产芯片企业中天弘宇举行新品发布会，发布了自主原创的闪存技术和产品。

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中天弘宇董事长张佳介绍，该公司以“二次电子倍增注入浮栅”原理为基础，探索出了一条全新的闪存技术思路，重构了闪存存储单元结构。
这是继“隧穿技术”、“热电子注入技术”之后第三种0和1的形成方式，在国际上属于首创，也填补了我国在存储芯片领域原创专利的空白。
目前中天弘宇已经在中国、日本、美国、韩国等申请了50余项原创性发明专利，通过完善的专利保护和底层技术创新，中天弘宇在闪存领域打造了属于中国芯片企业的核心竞争力。

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【打破日韩美技术垄断！中国芯实现突破，院士倪光南盛赞：意义重大】这项技术受到了关心国产芯片发展的中国工程院院士倪光南的大力称赞，
他表示这项先进存储技术对中国半导体产业的意义重大，不仅实现了国内存储芯片底层技术零的突破，而且对芯片自主化也具有相当大推动作用，堪称一项重大发明。

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在闪存领域实现突破的还不止中天弘宇一家企业。专攻3DNANDFlash芯片的长江存储也是近年来崛起的国产闪存芯片的优秀代表。