技术|《炬丰科技-半导体工艺》半导体晶圆切割技术半导体

书籍《炬丰科技-半导体工艺》
文章半导体晶圆切割技术
编号JFKJ-21-335
作者炬丰科技
摘要
晶片分离技术包括在将晶片减薄至所需厚度之前在晶片的前部装置处理主表面上产生凹陷的街道图案。将晶片安装在合适的载体上后将其减薄并选择性地金属化以形成背面触点。从街道的中心区域去除半导体材料。由于材料去除而损坏的暴露材料也被去除以消除微裂纹同时生产具有直且光滑的正交边缘的管芯。本技术特别适用于在其中嵌入有 FET 或 MMIC 的管芯区域之间使用脆性化合物半导体材料。

文章插图

【技术|《炬丰科技-半导体工艺》半导体晶圆切割技术】发明背景
本发明涉及芯片分离技术更具体地说涉及薄晶片的分离例如通常使用III-V族化合物半导体材料的类型。
薄晶片通常是砷化镓目前正在通过多种传统技术分离成小片。目前这些方法需要锯切、激光划线、机械划线和切割以及化学蚀刻和切割。
当锯切薄 GaAs 晶片时由于 GaAs 的脆性沿锯切边缘会产生碎屑。即使在最佳条件下也不会产生平滑的正交边缘这使得切屑的处理更加困难。此外在锯切过程中可能会出现微裂纹即使它不会降低产量也会倾向于降低器件的可靠性因为这种裂纹会在通过断开和接通之间的转换和热循环所伴随的应力过程中自我传播。反之亦然。尽管薄化合物半导体材料的激光划线能够产生比锯切更好的边缘但众所周知由于晶体材料不可避免的局部加热激光划线也会产生微裂纹。
发明内容
一个目的是提供一种晶片分离技术该技术消除了传统晶片分离技术所伴随的问题同时提高了产量。新的骰子分离技术的一个相关目的是提供对骰子几何形状的更大控制以促进骰子处理同时减少由此导致的机械损坏和/或破损的原因。本小片分离技术的另一个目的是从有源器件区域去除微裂纹物理现象的位置。