占率|一季度净利润同比增长超4倍，市占率前三，中微公司异军突起！集成电路

中微公司创立于 2004 年，主要产品覆盖 CCP 刻蚀、ICP 刻蚀、深硅刻蚀及 MOCVD 四大产品线，其中 CCP、ICP、TSV 主要用于集成电路制造，MOCVD 主要用于 LED 外延片制造。目前，公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线，公司 MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED 设备制造商。

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据安信证券研报分析，中微公司主要产品覆盖 CCP 刻蚀、ICP 刻蚀、深硅刻蚀及 MOCVD 四大产品线，目前公司 CCP 设备已批量应用于境内外一线客户的集成电路加工制造生产线，并持续提升市场占有率，客户市场占有率已进入前三位。
一、国内刻蚀设备龙头，定增落地再攀高峰
根据公司公告，目前公司 Primo AD-RIE、Primo SSC AD-RIE、Primo HD-RIE 等产品批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线，并持续提升市场占有率，在部分客户市场占有率已进入前三位。此外，在先进逻辑电路方面，公司持续升级硬件性能，成功取得 5 纳米及以下逻辑电路产线的重复订单。在存储电路方面，公司的刻蚀设备在 64 层及 128 层 3D NAND 的生产线得到广泛应用。
2016-2020 年，公司营业收入从 6.1 亿元增至 22.73 亿元，CAGR 达 68.66%，归母净利润从-2.39 亿元增至 4.92 亿元，2021 年 Q1 公司实现营业收入 6.03 亿元，同比增长 46.24%，实现归母净利润 1.38 亿元，同比增长 425.36%，在下游资本开支旺盛的情况下深度受益。

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研发费用率来看，公司研发费用始终处于较高水平且不断提升，2021 年 Q1 公司研发费用率达 14.25%，保持在 CCP、ICP 及 MOCVD 设备上的开发研究。销售费用及管理费用率整体呈下降趋势，近年来主要受股份支付费用影响有所上升，财务费用率波动较小，公司财务费用主要是汇兑损益，财务费用率较低。

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二、国内刻蚀龙头进入快速放量阶段，全球目标市场达 140 亿美元
集成电路制造工艺繁多复杂，其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺是把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。
刻蚀按工艺可分为湿法刻蚀和干法刻蚀，湿法刻蚀主要将刻蚀材料浸泡在腐蚀液如盐酸中进行腐蚀的技术。由于其具有各向同性，所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀，横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度，对图形就会出现一定的偏差，因此主要用于晶圆清洗、封装等环节，而在图形化过程中主要使用干法刻蚀，其中又以等离子体刻蚀为主。
根据 Gartner 数据，2020 年等离子体刻蚀机已占比 20%-25%，已经成为晶圆制造设备中占比最大的项目，根据 Semi 统计 2020 年 712 亿美元设备市场空间测算，2020 年全球等离子体刻蚀市场空间已达 140 亿美元，而 2010 年刻蚀设备全球市场空间仅 40 亿美元，CAGR 达 13.3%。根据中微业绩说明会数据，CCP 市场空间约 48 亿美元，ICP 市场空间约 76 亿美元，两者占比约 1：1.5，未来随着工艺的提升，刻蚀设备价值量占比将同步上升。