台积电|连美国的脖子都能卡！台积电到底是怎样炼成的？( 四 ) 美国|芯片|代工厂|连美国的脖

再加上张忠谋的私人交情，拉来了刚上任英特尔 CEO 的安迪 · 格鲁夫来做工艺改良，提升了 200 多道工艺工序。
在张忠谋所带来的方向，精进的工艺指导下，很快，台积电在 1990 年的营收就超过了 10 亿美元，到了 1997 年更是实现了 5.35 亿美元的盈利。

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这家新成立的公司虽然遍历风雨，但至少是活了下来。

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如果说台积电能 “ 活下来 ” ，要多亏了张忠谋一把屎一把尿地拉扯大。那让它 “ 活的壮 ” ，活的和其它代工厂不一样的原因，就离不开它技术上的独特性。
毕竟人情拉来的订单只是一时的。台积电能在正确的时间，做出合适的技术。
而合适的技术，又能找到最适合的客户。
2001 年，台积电率先研发出 0.13 微米的铜介质技术，通过用铜替代铝，获得了更高的芯片性能。
在台积电发布的时候，友商们还在和 IBM 联手研发如何用铜来做介质的过程中。
借助这次 0.13 微米工艺的胜仗，台积电直接拿到了 55 亿新台币的订单，成功超过了老对手联电。

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在这一战之后，台积电可以说是彻底站住了脚跟，通过铜制程技术奠定了行业领先的地位。
这样的战役，在台积电数十年的历史中，还不只发生过一次。
2003 年，台积电和 ASML 联手，一起研制出了 “ 浸润式光刻 ” 技术，在当年给摩尔定律续命。
在这之前，行业内采用的都是干式光刻机，通过波长为 193nm 的光线来对芯片进行光刻。

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为了提高制程，按道理来说下一步该用 157nm 波长的光线，但偏偏这个波长的光线特别特别有问题……容易被氧气给吸收，导致光刻效果不如预期。
当年的光刻机巨头可不是 ASML ，而是尼康和佳能这些日本 “ 遗老 ” 。
以这两家为首的公司花费巨资在研究 157nm 的干式光刻机上，准备在前代的基础上再优化优化。
另一批以英特尔为首的公司则是准备激进的押注极紫外光，直接把 157nm 给一步快进到几十纳米。
也就是我们现在熟悉的 EUV 光刻机上。
英特尔这个想法，在近 20 年后实现了▼

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但台积电此时则是出了个鬼才林本坚，他和 ASML 一起，选择用水来替代空气做介质……
水会影响光的波长，而 193nm 波长的光通过水的折射，正好变成了 132nm ，直接跳过了最麻烦的 157nm 。