氮化镓|第三代半导体的激流与险滩( 二 ) 半导体材料

他表示，“随着技术和行业的发展，碳化硅成本会逐步下降，那么在众多领域取代传统硅基材料器件将是一个不可逆的过程。”
举例来说，在功率半导体器件中，由碳化硅材料取代硅基衬底的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET是行业认同的未来趋势，且功率半导体迭代周期较慢、生命周期更长，因此未来成长空间会很大。
汪之涵续称，目前碳化硅材料的器件成本比硅基器件成本高很多，但未来其成本必然会降至硅基器件的2-3倍，那时候碳化硅器件带来的性价比优势会陆续显现。
短期挑战
国内产业链发展如火如荼，但不可忽视的是，在针对一项新兴技术不断探索背后，依然也面临着不小的挑战需要思量并克服。
汪之涵表示，作为创业企业，尤其是身处第三代半导体领域，在高速发展过程中会面临各种困难。但相比一般企业都会遇到的资金、供应链、客户认可等问题，他更关注的是人才。
“国内培养的第三代半导体材料、器件、封装、驱动、应用方面的人才，肯定远远无法满足行业的需求。通过企业自己培养，或者从海外引进专家加盟的方式，是扩充团队的重要方式。”他如是指出。
除此之外，为了实现企业在碳化硅领域发展的长期目标和短期目标相平衡，基本半导体与清华大学等高校及研究机构合作，针对一些短期内或许无法产生直接经济效益，但对未来产业发展具备意义的前沿领域进行联合研发。
“两年内有望产业化的技术方向，我们会由内部推动研发；五年后才有产业化机会的技术方向，我们会积极采取与外部合作研发的方式。”汪之涵续称。
在市场层面，短期内也还面临着一定的发展挑战。有产业投资人向采访人员表示，当前行业对第三代半导体的关注可能存在热情过高的迹象。“我们看过了很多第三代半导体公司，但是不太敢下手。”该名人士认为，目前国内对于相关产业公司的估值偏高，不太符合常规估值方法，其团队在此时会选择更加审慎面对市场。
他同时指出，在目前还没有庞大规模的市场需求背景下，有一些产业内公司已经开始了频繁在各地建设产线的道路。“考虑到现在的销售额无法承载这么大的成本折旧，我们担心不排除在未来3-5年内，部分今天投资的产线，会面临资不抵债的难题。”
不过云岫资本高级经理李俊超向21世纪经济报道采访人员表示，总体来看，目前国内对第三代半导体领域的投资还算不上过热，因为从整体体量来看，还并没有达到如美国、日本每年在相关产业投资的力度。
但他同时指出，目前不可忽视的问题是，产业间公司发展相对分散，没有把核心人才和力量融合在一起。导致若干年后回头看，可能会存在投资效益偏低的问题。
当然，在此过程中，具备竞争实力的公司依然会成长起来，并且不断完善技术更迭演进过程。
从市场格局来说，由于前述应用成本偏高，导致尚且无法支持第三代半导体器件的大规模商用，目前下游器件厂商虽然数量较多，但体量尚且不大。反倒是处在行业上游的衬底材料产业环节，由于积累的需求更集中，这类型公司会在先期更快发展起来。“当然，未来随着商用的持续推进，下游市场的机会的确会逐步扩大。”李俊超表示。
即便是如今已经在全球市场占据较高份额的欧美国家公司，其最初起步也是从单个产业环节的能力入手，随着逐步走向成熟，才通过收并购的方式，纳入更丰富的产业流程，并成为具备平台型能力的综合型半导体公司。
“考虑到目前第三代半导体市场的整体规模并不算大，目前来看，可能也未必有必须走向如硅基一般有明确设计和制造产业分工的阶段。当然，随着市场空间越来越大，或许产业分工会是未来一种更好的选择。”李俊超指出，从这个逻辑来看，当下该领域的公司选择IDM发展模式，的确不失为一种更完善的发展路线。