英特尔|台积电、三星nm制程掺水,intel放弃nm制程叫法,全新命名
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同时所谓的nm制程 , 是指晶体管的沟道长度 , 沟道长度是多少 , 就是多少nm工艺节点 , 严格对应的 。
但后来随着芯片越来越先进 , 摩尔定律已经很难实现了 , 因为晶体管慢慢的接近原子大小了 。 于是从10nm开始 , 台积电、三星等就不再严格按照摩尔定律来了 , 同时在制程工艺上 , 也就开始了掺水 。
具体来看 , 沟道长度与XXnm不再有直接对应关系了 , 这个是台积电高管曾承认的 , 说XXnm更多的是营销游戏了 。 另外从晶体管密度来看 , 也不再严格遵守18个月翻一倍的规则了 。
而为了证明这一点 , 前段时间Digitimes就分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况 。
我们发现三星的芯片 , 在相同的节点 , 密度是最低的 , 而台积电好一些 , 英特尔是最高的 , 可以说只有英特尔是真的在遵守摩尔定律的 。
但或许也因为如此 , 所以英特尔对外公布的工艺节点是最落后的 , 因为目前才10nm , 而三星、台积电都已经5nm了 。
可能也感受到了这些 , 所以英特尔近日做了一个重要决定 , 公布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图 , 并彻底的抛弃nm工艺叫法 。
简单的来讲 , 就是从下一代芯片开始 , intel不会再说这是7nm , 或者5nm , 或者3nm , 1nm等工艺了 , 而是起了一个新的命名 。
下一代芯片 , 英特尔称之为intel7 , 再是intel4、再是intel3 , 再到intel 20A…… 从这些命名 , 你能看出来是多少nm的么?已经不能了 。
而在芯片每一代工艺对比上 , 英特尔采用的上每瓦性能将提升来说 , 比如Intel 7与英特尔10nm相比 , 每瓦性能将提升约10%-15% , 而intel4与上一代相比 , 每瓦性能约提升20% , 而Intel 3较Intel 4将在每瓦性能上提升约18% 。
对此 , 不知道大家怎么看?很明显 , intel不愿意像台积电、三星一样在工艺节点上进行掺水 , 所以不想用这种nm命名 , 因为这样会显得自己严重落后于三星、台积电 。
所以intel启用新的命名 , 这样大家不会将自己的工艺与台积电、三星来横向对比了 , 毕竟intel4究竟是几nm , 谁也不知道啊 。
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