在先进芯片工艺上 ， 美国厂商也落后于台积电、三星了 ， 这两家量产或者即将量产的7nm、5nm及3nm遥遥领先 ， 然而美国还有更多的计划 ， 并不一定要在先进工艺上超越它们 ， 甚至准备逆行 ， 复活90nm工艺 ， 制造出来的芯片性能是7nm芯片的50倍 。美国晶圆厂SkyWater日前宣布获得美国国防部下属的DARPA的进一步资助 ， 后者将给予2700万美元以推动开发90nm战略抗辐射 （RH90） FDSOI 技术平台 ， 总的投资计划高达1.7亿美元 。

相比台积电、三星、Intel等半导体公司 ， SkyWater不仅规模小 ， 而且资历也浅 ， 2017年成立 ， 晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门 ， 工艺并不先进 ， 主要生产130nm及90nm ， 部分先进芯片才到65nm级别 。
然而他们却得到了美国DARPA的青睐 ， 成立没多久就开始参与后者的ERI电子复兴计划 ， 该计划在5年内投资15亿美元 ， 推动美国半导体行业发展 。
ERI计划中 ， SkyWater并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺 ， 而是用90nm工艺制造3D SoC芯片 ， 通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能 ， 性能可达7nm芯片的50倍 。
【芯片|美国逆行将复活90nm工艺：性能50倍于7nm芯片】当然 ， 这些技术现在还没有实现完全突破 ， 毕竟这样的做法是之前没有的 ， 一旦成功了 ， 可能是改变半导体行业规则的新技术 。

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