但是 , 如果micro LED显示应用在穿戴设备上 , 其要求可能是1-2英寸的基板上 , 转移百万颗单位的灯珠 。 这时候 , 对巨量转移的效率、准确度和缺陷率、检测和修复技术的要求 , 就是另一个数量级的问题 。 即应用于越小尺寸的micro LED显示产品 , 其对巨量转移的“规模和精度”要求也就越高 。
然而 , 在大尺寸显示上 , 巨量转移技术也有独特的难度:即从硅基板等上提取LED颗粒之后 , 颗粒间距扩张尺寸 , 在大尺寸显示上会更大 。 比较而言 , 如果micro LED应用于XR等近眼显示 , 则几乎没有晶体颗粒间距扩张问题——甚至micro LED微型近眼显示 , 可以采用非巨量转移 , 而是驱动结构和发光结构在同一块硅基晶圆上分层制造的技术实现 。
如上介绍 , 因为显示目标产品的显示尺寸、像素密度和间距的不同 , 对巨量转移技术及其配套技术的要求也会截然不同 。 ——差异巨大的巨量转移在不同目标市场的需求 , 也就是技术难度的不同 。 后者导致在越是像素密度低的、越是大尺寸LED显示产品上 , 巨量转移现阶段的技术成熟度 , 可商用性就越强 。
从低难度到高难度 , 巨量转移商用的路径?
Micro LED商用的重要条件是巨量转移技术的日益成熟 。 但是如上文所讲不同的产品目标 , 巨量转移的难度截然不同:
多合一灯珠采用一些巨量转移前端设备和技术提升效率 , 目标产品集成度是几十颗灯珠、大屏拼接用LED模组的CELL单元 , 则是几万到几十万个灯珠、穿戴设备等小尺寸显示的目标产品单元基板需要转移数百万到数千万颗灯珠——这些应用中 , LED晶体颗粒需要裂缝的距离也相差巨大 , 检测和修复技术的难度也截然不同 。
所以 , micro LED导向市场的过程 , 一定存在着一个“由易到难”的过程 。 即 , 今天市场成功应用巨量转移、一定规模商业化的产品 , 集中在小间距和微间距的LED显示大屏产品上 。 究其根源是因为这些产品每一片CELL的LED晶体集成量更小 , 实现巨量转移的难度也就更小 , 在同等转移速度下一个完整终端产品的制备时间周期也就更短 。
即 , 99.95%的巨量转移良率 , 显然无法满足穿戴设备、车载屏幕的需求 , 但是却足以满足LED小间距大屏的生产需求 。
对比于传统的小间距LED显示而言 , 采用micro LED+巨量转移的优势很明显:在巨量转移效率、良率和其检测、修复技术更为成熟的背景下 , 高像素密度的小间距和微间距LED显示 , 通过采用micro技术可以降低LED晶圆端60%的成本;相对于表贴工艺 , 巨量转移的更高生产效率和产品效果特性 , 在未来也意味着更低的成本 , 更短的产业链流程 , 更高的产品光学品质;且巨量转移对比表贴 , 更适合与玻璃材质的TFT驱动基板结合——后者在P1.0间距以下市场 , 对比传统高精度PCB板也拥有“成本优势” 。
综上所述 , 虽然巨量转移还是一种不够成熟的技术 , 但是并不意味着对小间距LED和微间距LED大屏“不足以实用”化 。 小间距LED显示企业已经到了需要布局和大规模引入巨量转移技术的历史性时刻 。 在未来的行业应用竞争中 , micro+巨量转移或许将是行业格局改变的重要砝码 。
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