3g三星3nm制程预计2023年量产落后台积电一年台积电|euv

先进半导体工艺上，台积电、三星一直你追我赶，但是这几年，三星明显有些跟不上趟，不但新工艺的量产进度缓慢、延迟，性能、客户规模也远不如对手。
芯研所7月13日消息，2021国产IP与定制芯片生态大会上，三星公开了一份新工艺路线图，赫然显示3GAP 3nm要到2023年才会量产，而台积电早就宣称，会在明年下半年量产自己的3nm。

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图片来源新浪微博@科技芯时空（芯研所采编）
三星之前也说过会在2022年量产3nm，不过一直说的是3GAE版本，也就是3nm gate-all-around early，可以理解为3nm工艺的初始早期版本，而路线图上的3GAP，指的则是3nm gate-all-around plus，相当于3nm工艺的加强版，性能自然更好。

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图片来源新浪微博@科技芯时空（芯研所采编）
这么看来，三星取消了3GAE，直接上更好的3GAP？
有外媒联系了三星的一位发言人，得到的回应是，三星一直在与客户探讨3GAE工艺，将在2022年如期量产。

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图片来源新浪微博@科技芯时空（芯研所采编）
这么看来，最大的可能是3GAE工艺还在，但没有外部客户采纳，三星要么拿它来做实验(代价有点大)，要么是仅限自用(三星LSI部门)，反正是悬了。
三星宣称，3GAE工艺对比7LPP可以性能提升最多35％，或者功耗降低最多50％，或者面积减小最多45％，而且最早说的投产时间是2021年底，现在推到了2022年，但还说如期……
至于3GAP对比3GAE会有多大提升，三星一直没有明确给出数据。

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图片来源新浪微博@科技芯时空（芯研所采编）
另外在路线图上，三星5nm、4nm也都增加了新版本，除了初期的5LPE、4LPE，分别增加了集成度和性能都更高的5LPP、4LPP，都支持EUV极紫外光刻，分别计划今年、明年量产。
（作者：曲楠责编：Martin）
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3g三星3nm制程预计2023年量产 落后台积电一年

3g三星3nm制程预计2023年量产落后台积电一年