绕开EUV光刻机，中国半导体破冰关键技术，ASML的担忧正在应验( 二 ) 我国科技虽然起步较晚

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然而，美国却以“防止一切尖端技术流入中国市场”为由，限制SK海力士中国分厂引进EUV光刻机。这本就已经导致ASML损失了巨额营收，可如今中国半导体却破冰了可绕开EUV光刻机的DRAM制造技术。
这意味着，不仅中国芯片厂商会采用该关键技术，摆脱EUV垄断带来的影响，那些在中国有着大量分厂的海外芯片巨头，也同样会不惜一切代价引进该技术。这对ASML的全球业务而言，将会是一个不小的冲击。

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其次，由于老美不断修改规则，以及摩尔定律的临近，很多地区都掀起了半导体芯片产业自主化的潮流，并创新芯片技术，以求在摆脱EUV规则束缚的同时还能降低成本。
在芯盟科技之前，日本铠侠联合佳能研发出了针对Soc芯片的NIL技术，也就是纳米压印微影技术。据悉，该技术同样可以在不使用EUV光刻机的前提下制造5nm制程高端工艺芯片，目前铠侠已掌握了相关的15nm量产技术，预计在2025年实现5nm的量产。

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也就是说， ASML所要面对的是DRAM和Soc这两个关键领域可能对EUV光刻机的淘汰。由此可见，它的担忧不无道理，如果老美仍严格限制EUV设备的自由出货，未来ASML也许真的会走到破产的边缘。
过去早已多次证明，只要是中国人想做的事，就没有做不成的，从两弹一星到国际空间站，中国科学家无一不是在西方严密的技术封锁下完成突破的，如今的芯片、光刻机又怎么难得倒我们？美国等西方发达国家的断供，最终只会是搬起石头砸自己的脚。
【绕开EUV光刻机，中国半导体破冰关键技术，ASML的担忧正在应验】?