台积电发布2nm芯片突破性的制程：性能提升30%以上，3年后量产！前段时间漂亮国与小日子过得

前段时间漂亮国与小日子过得不错的国家联合发布了2nm芯片的联合研制，漂亮国也是为了打破台积电在芯片这块研发的垄断地位，避免以后出现意外情况而造成巨大芯片断供的事情发生。

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【台积电发布2nm芯片突破性的制程：性能提升30%以上，3年后量产！】但是台积电对于芯片制造本身就是立身之本，也是世界芯片制造领域的龙头老大，至于有这份自信和勇气来应对其他竞争对手的挑战。从普通规程的芯片到3-5nm的高精度芯片都是引领先锋，不会落于人后！这次2nm也不会例外！

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据了解在6月17日的时候，在台积电的2022年度的技术研发研讨会上就根据外界所需要了解的情况做了一些关键信息的公开与发布。比如n3工艺的芯片就会在今年进行量产。对于非华为企业，如：苹果、小米、oppo、三星等智能移动手机厂商有福了。

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同时在会议上也着重介绍了n2(2nm)工艺制程的相关研发进展情况和未来的对应规划。从技术面来说，在2nm方面讲从FinFET（鳍式场效应晶体管）转变为环绕栅极晶体管(GAAFET)的节点设计，这样新的技术方案将对后期产品的整体性能和功率有很大的提高。相比于之前的3nm工艺的情况下，速度要快至少15%以上，功耗确会降低超过30% 。这样一来与n3e的工艺相比较而言。 n2工艺技术会将芯片的密度提高了1.1倍左右。

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2nm工艺不只是在功耗和速度上得到了很大的提升，在工艺设计上也有两项重大的创新，那就是使用了纳米片晶体管（台积电称之为GAAFET）和backsidepowerrail 。通过使用GAAFET可以很大的减少了泄露问题，而BPrail确是用于缓解电阻最优的解决办法之一。至于其他方面的提高，还需要持续跟踪台积电的研发进程来做进一步的分析。

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我们国家在走在自研芯片的道路上，虽然7-10nm的芯片自研没问题，但制造远远跟不上时代的步伐，首先要解决的是14nm芯片制造并量产的问题，那么就解决了我国90%芯片国产化问题。未来才能通过其他技术来实现弯道超车，走向芯片的国产化之路！

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