充电器|依旧是这家公司引领，人类即将迈入2nm芯片时代！芯片|半导体|控制器|数码

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台积电正式发布N2制造技术，计划 2025 年下半年投入量产。而台积电的首批3nm芯片将在2023年初和大家见面。
据悉，台积电将在N2制程工艺中，全球第一个使用采用纳米片环栅晶体管结构（GAAFET）。

该新节点将使芯片设计人员能够显着降低其产品的功耗，但在速度和晶体管密度方面， N2制程工艺的改进不太明显。台积电承诺 N2 可以在相同功率和晶体管数量下将性能提升 10% 到 15% ，或者在相同频率下将功耗降低 25% 到 30% ，与N3E 节点相比，芯片密度增加了 1.1 倍以上。

台积电的 N2 制程工艺依然使用 EUV 光刻技术，但首次引入了 GAAFET（纳米片晶体管）以及背面供电。新的环栅晶体管结构具有较大优势，例如大大降低了漏电流、调节沟道宽度等等，可以提高性能、降低功耗。而背面供电将为晶体管提供更好的电力输送。与 N3E 相比，台积电 N2 节点带来的性能提升和功耗降低与代工厂新节点通常带来的效果一致。
但芯片晶体管密度提升仅仅高了大约 10%，这并不是特别鼓舞人心的消息，特别是考虑到与台积电普通 N3 相比，事实上，它的N3E 制程工艺已经提供了足够的晶体管密度。

在未来几年中，台积电将推出四种技术的 N3 衍生制造工艺，它们包括N3E、N3P、N3S 、N3X 。这些 N3 变体旨在为超高性能应用提供更高的性能、增加的晶体管密度、增强的电压。而所有这些技术都将支持台积电的 FinFlex 。

【充电器|依旧是这家公司引领，人类即将迈入2nm芯片时代！】台积电的第一个 3 纳米级节点称为 N3 ，该节点有望在2022年下半年开始量产 (HVM) 。实际3 纳米芯片将在 2023 年初交付给客户。而此3nm 系列，将是台积电“经典”前沿 FinFET节点的最后一个系列。