【光刻机|革了尼康、佳能命的浸润式光刻机，是怎么被ASML研发出来的？】
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其中EUV用于7nn及以下芯片的光刻 ， DUV用于7nm以上的芯片光刻 。 而DUV光刻机 ， 基本上都是采用浸润式原理 。
即在光刻机中 ， 采用水为介质 ， 让193nm波长的光线 ， 进入水中进行折射后 ， 让波长变成132纳米 ， 从而实现从45nm-10nm级别的光刻 。
事实上 ， 在浸润式光刻机推出之前 ， 业界采用的均是干式光刻机 ， 即介质为空气 ， 193nm波长的光线 ， 直接进行光刻 。
而在干式光刻机技术中 ， 尼康、佳能才是巨头 。 至于ASML ， 还只是一个小工厂 ， 与尼康、佳能完全不是一个级别的 。
后来是ASML押宝浸润式光刻机 ， 某了尼康、佳能的命 ， 把尼康、佳能踩在了脚下 。
那么问题就来了 ， 为何偏偏是ASML？
事实上 ， 在光刻机采用193nm波长后 ， 芯片工艺达到了65nm了 ， 接下来芯片工艺是朝着45nm前进 。 但193nm的光线 ， 感觉不够精细 ， 所以业界把光刻的光线瞄向了157nm的波长上 。
但157nm这个波长的光线 ， 很不好 ， 这种光线穿透率很差 ， 这就需要光罩材质要改进 ， 镜头技术也改进 。 另外氧气会吸收157纳米的光 ， 所以干式介质中 ， 不能有氧气 ， 要采用氮气 。 反正就是157nm波长的光线 ， 难题一大堆 ， 非常不好解决 。
这时候在台积电工作的林本坚 ， 提出了一个观点 ， 为何一定要用干式介质呢？用水来当介质也可以的 。
并且在经过不断的试验之后 ， 他发现193nm波长的光线经过水折射后 ， 波长变为132nm了 ， 这个波长跳过了157nm这个讨厌的波长 ， 又解决了问题 ， 岂不是两全齐美？
但这时候像尼康、佳能等早就在157nm波长上投入了几十亿美元研究 ， 并且认为157nm波长才是方向 ， 所谓的浸润式技术上并不可行 ， 所以没怎么理会 。
只有ASML因为是小厂 ， 反正光脚的不怕穿鞋的 ， 觉得可以赌一把 ， 于是用这个技术 ， 赶出来了一台试验性的浸润式光刻机 ， 并把一些试验出来的结果给台积电看 。
台积电一看 ， 觉得技术完全可行 ， 于是台积电和ASML两家公司一起努力 ， 研发浸润式光刻机了 。
而这时像尼康、佳能等 ， 还说林本坚是在搅局 ， 甚至想通过高层来阻止林本坚研发浸润式光刻机 ， 因为他们在157nm波长光刻机上投入太多了 ， 还联合了产业链一起向157nm推进 ， 不可能半途而废 ， 那几十亿美元打了水漂了 ， 给产业链也没法交待 。
最后就是ASML与台积电研发浸润式光刻机成功了 ， 而研发157nm波长光刻机的尼康、佳能没有拿出可靠的产品出来 。
于是后来所有的晶圆厂 ， 都转向了ASML生产的浸润式光刻机 ， 当尼康、佳能转向浸润式光刻机时 ， 已经落后ASML三、四年了 。
所以最后 ， 尼康、佳能只能看着ASML越来越火 ， 最后还推出了EUV光刻机 ， 他们却慢慢的被淘汰掉了……
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