本文转自：中国电子报编者按：6月13日至19日是第32个全国节能宣传周|“双碳”风口，宽禁带半导体“飞”进数据中心( 二 ) 本文转自：中国电子报

2021年-2027年（预测）碳化硅功率器件各细分领域市场占比

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特别是在服务器电源的PFC中，碳化硅MOSFET具有的高频特性，可以起到高效率、低功耗的效果，提升服务器电源的功率密度和效率，缩小数据中心的体积，降低数据中心的建设成本，同时实现更高的环保效率。
据悉，如果数据中心的电源和散热系统均采用碳化硅MODFET替代硅MOSFET ，所节约下来的能源可以为曼哈顿供电一整年。
氮化镓则在数据中心中的低电压应用不断提升。近几年，氮化镓技术一直在突破，所带来的效率提升，有助于数据中心降低成本，大幅降低电费，达到碳中和、碳达峰的要求。如果全球的数据中心都能使用氮化镓代替硅，有望节省15T瓦以上的电量，其价值可达到十几亿美元。
2021年-2027年（预测）氮化镓功率器件各细分领域市场营收

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Yole预计，氮化镓在数据中心中的渗透率会持续增加，越来越多的电源供应商已经在其系统中使用了氮化镓。德州仪器、英飞凌、罗姆等氮化镓龙头企业都宣布了最新进展。
【本文转自：中国电子报编者按：6月13日至19日是第32个全国节能宣传周|“双碳”风口，宽禁带半导体“飞”进数据中心】罗姆半导体（北京）有限公司技术中心总经理水原德健向《中国电子报》采访人员表示，罗姆一直致力于在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的氮化镓器件的开发，旨在为各种应用提供更广泛的电源解决方案。目前，已确立150V耐压GaNHEMT“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量产体系，该系列产品非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。

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