一个热知识|台积电在第三代半导体领域的竞争力如何?( 三 )


世界先进 , 有望今年如期量产
对于第三代半导体 , 世界先进董事长方略是这么看的 , “即使再过5年 , 第三代半导体产值也未必超过(半导体整体市值的)1% , 但是新材料(碳化硅、氮化镓)衍生的商机 , 将突破硅材料无法做到的领域 , 将是值得探索的崭新世界 。 ”
正是看到了第三代半导体所衍生出来的巨大商机 , 世界先进在2018年就宣布朝量产氮化镓芯片的目标努力 。 去年11月的法说会上 , 方略指出 , 基于GaNonQST制程的产品已经有客户进行原型设计与送交制造 , 目前已经出货的两批产品线都通过可靠性测试 , 预计2021年底前会完成所有的程序设计 , 顺利的话2022年上半年会看到有实际产品面世 。
在技术方面 , 世界先进建立完整的氮化镓加工技术 , 除了前后段制程都自行完成 , 同时也会建立自己的晶圆薄化技术 。
基板方面 , 世界先进与联电一样 , 选择QST基板技术 , 凭借着QST基板材料 , 世界先进将生产出8英寸氮化镓晶圆 , 如果能与世界先进既有的8英寸机台设备、管理与开发相互配合使用 , 或许会在2022年如期量产基于QST基板的氮化镓组件 。
除了传统的纯晶圆代工厂 , IDM厂商也积极卡位 , 比如三星加入南韩官方计划冲刺第三代半导体布局 。 去年5月 , 韩国政府发布了一份先进功率半导体研发和产能提升计划 , 计划到2025年将市场竞争力提升到全球水平 , 至少有5种先进的功率半导体产品上市 。 韩国产业通商资源部在一份声明中表示 , 将与韩国国内的代工厂建立6-8英寸的制造工艺 , 以扩大相关的代工服务 。
写在最后
代工厂抢先入局第三代半导体并非没有原因 , 除了那诱人的商机外 , 还有设备相容度 。 汉磊科技前总经理庄渊棋曾于论坛分析称 , 入氮化镓代工技术跟代工厂原本的设备相容度达9成以上 , 且氮化镓有机会转到8英寸厂投片 , 因此只要多添购专用设备就好了 。
当前联电、世界先进都已经向8英寸迈进 , 相信在不远的未来 , 代工厂们在第三代半导体领域的付出会相继显现 , 这个产业也将变得更加旺盛 。