小米科技|外媒：要正视中国产光刻机( 二 ) MIUI

这意味着，明年国产28纳米光刻机即将交付。
好，上面我们已经提到， DUV光刻机的最大分辨率只能做到38纳米，而明年我们要量产的是28纳米光刻机，这就意味着，国产光刻机已经突破了38纳米最大分辨率这个门槛。

这就好比ASML突破了EUV光刻机的门槛一样，后续我们的光刻机发展，也会像ASML更新EUV光刻机一样快，甚至更快。
因为根据ASML的发展历史来看，其突破28纳米工艺后，用了4到5年的时间，就将工艺推进到了7纳米。
此外，我们在EUV光刻机的研发上，与DUV是同步的，没有先后的顺序。

根据查询国内在EUV方面的专利积累以及中科院方面的动态来看， EUV光刻机相关核心部件的研发，已经进入实质阶段。

根据预计，当DUV光刻机发展到7纳米工艺时， EUV光刻机应该初步具备了原型机的水平，所以在时间节点上，是可以做到衔接的。
说到这里，想必很多网友会有一个谜团，就是DUV光刻机38纳米分辨率，是怎么可以生产7纳米芯片的， EUV光刻机13纳米的分辨率，又是怎么可以生产3纳米芯片的。

这就要涉及一种被称作“分辨率增强”的技术，其实这是一个技术合集，包括离轴照明、光学邻近校正、移相掩模和次分辨率辅助图。
当然，在为了实现更小的关键尺寸上，还采用了多重曝光、计算光刻等技术。
总之，光源和物镜系统，是决定光刻机的分水岭，而包括分辨率提升等在内的技术，可以对光刻机进行升级，来继续提升光刻机的分辨率水平，但是难度就要小得多。

所以目前我们已经突破了38纳米分辨率这个节点，就意味着与ASML之间的差距主要就是EUV了。
因此外媒就表示，要正视中国的光刻机，在技术上，并没有90纳米与3纳米这种表面数字上的巨大差距。
况且就连ASML自己的自信心也都开始动摇，就在今年年初， ASML总裁就对外表示，中国不是没有可能独立制造出顶级光刻机。

所以，我们需要对我们自己的光刻机有更多的认识，同时也要有更多的理解，因为即便是技术到位了，量产也需要时间，后续还有产能爬坡阶段。

【小米科技|外媒：要正视中国产光刻机】还是那句话，对我们自己的光刻机要正视的看待，对此大家怎么看呢？欢迎评论区评论、点赞和转发。