云米|闻泰科技:自研IGBT产品已流片成功,各项参数均达到设计要求

云米|闻泰科技:自研IGBT产品已流片成功,各项参数均达到设计要求

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3月9日下午 , 闻泰科技发布公告称 , 旗下全资子公司 Nexperia B.V.(“安世半导体”)于 2021 年设立了中国研究院 , 专注高压功率器件、模拟 IC 等新产品研发方向 。 目前公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor, 以下简称“IGBT”)系列产品已流片成功 , 取得阶段性重大进展 , 各项参数均达到设计要求 。

资料显示 , IGBT 是电源转换的核心器件 , 也是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术 , 具有开关速度快、载流密度大等特点 , 并拥有广泛的应用市场 , 主要面向新能源汽车、光伏/风力发电、智能电网、大功率电源、工业控制、家电产品等领域 。 其市场空间大、技术壁垒高且注重工程师经验和品牌口碑积累 , 是半导体里的优质赛道 。闻泰科技表示 , IGBT 流片成功后 , 仍需经过客户验证 , 后续量产计划具有不确定性 。
值得一提的是 , 去年7月 , 闻泰科技旗下安世半导体收购的英国晶圆代工厂Newport Wafer Fab就具有用于汽车行业的MOSFET、IGBT芯片 , 以及CMOS、模拟芯片开发制造能力 。
【云米|闻泰科技:自研IGBT产品已流片成功,各项参数均达到设计要求】编辑:芯智讯-林子