自从智能手机开始拼摄像头后|智能手机传感器的发展史( 二 ) 自从智能手机开始拼摄像头后

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BSI是BackSideIllumination的简写，一般翻译为背照技术，在FSI时代，彩色滤镜ColorFilter）与负责将光信号转化为电信号的光电二极管（Photodiodes）之间存在一层电路层（WiringLayers），电路层不仅遮挡了部分光线进入光电二极管，而且影响了读取速度——为了实现更高读取速度需要更为复杂的电路层，但是当电路层增加后会进一步遮挡光线。

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而BSI技术就是把电路层放到光电二极管下面，无论电路层多大都不会影响进光，因此量子效率更高，达到90% ，比FSI高出了10%（实际FSI量子效率远远无法实现80% ，比如索尼FSI传感器大多介于50%至70%之间）。 BSI制造难度更高，而且传感器会变薄，噪点也会增加，需要其它技术去克服这些缺点。
【自从智能手机开始拼摄像头后|智能手机传感器的发展史】BSICMOS传感器一开始在手机上使用就获得用户认可， iPhone4主摄使用的OmnivisionOV5650传感器正是基于BSI技术，加上社交媒体兴起，智能手机迅速打断了小DC的增长势头，并不断压缩后者的生存空间，以致今天无人问津。
到了iPhone5s上，苹果已经改用了索尼MX145传感器，这是加入了堆栈技术的BSICMOS传感器。所谓堆栈技术就是把两块或以上不同芯片贴合起来，按照索尼在IEEE2013上的介绍，当时的堆栈式BSICMOS是由90nm的像素层以及65nm逻辑电路层组成，二者通过TSV（through-siliconvias ，硅穿孔）技术连接起来，由于模拟电路（像素层）、数字电路（逻辑电路）使用不同工艺，均能获得更佳的性能、能效表现，因此画质、功耗表现更好，而且通过叠加不同芯片能获得不同性能加成，比如叠加DRAM就能提升传感器读取，轻松实现4K升格视频输出。时至今天，堆栈式BSICMOS传感器依然是高性能代表，索尼A1、尼康Z9、佳能EOSR3三款旗舰无反相机均使用了堆栈式BSICMOS传感器。

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不过TSV存在一个缺点，它至少要打穿一块芯片去实现连接（所以得名硅穿孔），大大限制芯片尺寸大小、布局方式，后来索尼拿出了更为先进的CU-CU工艺去实现堆栈。 CU-CU就是在芯片表面设置铜触点，然后不同芯片直接通过铜触点连接起来，形式有点像是把两片BGA封装芯片贴合在一起。 CU-CU能够带来更多连接通道、更灵活连接方式，进一步提升读取速度，或是实现更为复杂的功能。

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在新技术提升CMOS传感器读取同时，传感器还有不少技术改进，最关键一项提升对焦技术。比如说了iPhone6使用的IMX145传感器加入了掩蔽式像素作为相位差对焦像素，三星GalaxyS7使用了全像素双核对焦技术，到了IMX689传感器，索尼在QuadBayer阵列基础上进化出2x2OCL技术，实现了十字相位差对焦。

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不过需要注意的是，三星在一亿、两亿像素上使用了九合一、十六合一技术并不能比四合一提升AF性能，使用九合一、十六合一技术是因为传感器单个像素太小，成像无法让人满意，同时为了减少ISP数据处理量，所以才做成多合一。
除了BSI、堆栈这些大幅度提升传感器画质、性能技术外，这些年来手机传感器还使用不少“小”技术，比如说三星ISOCELL以及ISOCELLPlus ，非拜尔阵列彩色滤镜。 ISOCELL、ISOCELLPlus原理很简单，它是在光电二极管修建一堵墙，遮挡应该进入A光电二极管的光线进入隔壁的B光电二极管，其中ISOCELLPlus修的墙更高，达到了彩色滤镜层。