mosfet|叶檀：绝地反击！冲破全球压制中国终于撕一道口子

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来源：wind
2010年，是士兰微真正站稳脚跟的一年，持续的投入后终于迎来回报。
2021年，士兰微则是赶上了新能源（车、风电、光伏等）这波好行情。
众所周知，下游需求大增，公司的功率半导体业务迅速增长，营收、利润都同步爆发。
大赚一次可能是运气，大赚两次真的有点靠实力的意思，有了运气，靠实力才能接得住。
从2000年左右，士兰微在保持自己的设计能力之外，就开始布局芯片制造，力求不仅能设计，也能够生产。
公司选择走IDM模式。
IDM模式，是指从设计、制造、封装测试到销售都一手包办的半导体垂直整合型公司。
数字芯片有两家公司也是这样，就是大名鼎鼎的英特尔、三星。
IDM这种模式看似费力不经济，既当爹又当妈，但实际上却能最大程度的保障企业的运营不会轻易受制于人。
这也是在功率半导体上，我们不容易陷入被“卡脖子”境地的原因之一。
全部自研、自产、自销，行止随心。

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功率半导体竞争中国站在有利地形
开头我们说到，功率半导体很有可能是中国最有望站稳脚跟的细分半导体领域。
我们从功率半导体的几大特点，来探寻其奥秘。
1、IGBT这一技术路线成了功率半导体里的香饽饽。
功率半导体，主要是为了管理电流与电压，也就是开关和变频。
在智能化的今天，电流和电压的变化，带来了电子设备的不同变化，就像肌肉之间的紧绷和舒缓，让人能够做各种动作一样。
如果说数字芯片是电子设备的大脑，功率半导体就像是肌肉和关节，让肢体灵活起来。
市场常说的功率半导体，大致可以分为三大块。
IGBT，MOSFET，以及二极管、三极管、晶闸管。
MOSFET更为灵活，但在高强度电压电流的环境中耐用度差；
二极管、三极管、晶闸管的变频能力差；
IGBT则像一个“全能选手”。
IGBT主要由MOSFET和三极管组成，兼具了MOSFET调节电流的灵活性，与三极管在强电流电压环境工作的稳定性。
近年来，IGBT的市场增速达到10%-15%，相对于整个功率半导体5%-6%的增速，优势明显。
士兰微的业绩表现也反映出了这一问题，所有产品中，IGBT正是增速最快的那条业务线。
在传统燃油汽车中，因为提供电力的主要是12V蓄电池，功率半导体的用武之地不大，主要用于雨刷器、电动车窗等之类的小马达，且大多是MOSFET。
而在电动汽车中，电动车的电压提升到了48V。
电流更强，使整个电控系统需要大量地调节，IGBT的使用会多得多。
2、我国在新能源产业链上拥有强势地位。
考虑到新能源的长期成长逻辑，车用IGBT和光伏逆变器IGBT有望带动整个行业加速成长。
我国目前新能源产业拥有强势地位，加上全球并不充裕的产能，使功率半导体的竞争格局对我国有利很多。
3、国产替代率不高，空间挺大。
放眼全球，目前功率半导体的国产替代率并不高。
主要是以英飞凌、安森美等为代表的欧美日大厂具有先发优势，这些企业在产品、客户、人才上都有长期积累。
举个简单例子，车规级的IGBT芯片，因为对稳定性、可靠性的要求非常严，通常取得认证就需要2-4年。
不要因此垂头丧气，因为我们本来就是从无到有，以士兰微为代表的公司能够突破供应链，进入到这一领域中，本身就是一种突破。
第一步是同场竞技，下一步才能是打败对手，独霸武林。
士兰微产品已经覆盖了工艺比较难的IGBT，来自IGBT的业务占比已接近20%，而且比较难的车规级IGBT模块也在近两年开始销售。

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