1月13日消息,据外媒报道,三星电子有限公司日前宣布其演示了世界上第一个基于MRAM(磁阻随机存取存储器)的内存计算。
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??该成果展示了三星电子在存储技术方面的优势,以及为下一代Ai芯片实现存储和系统半导体的融合所作出的努力。
??在标准的计算机体系结构中,数据存储在内存芯片中,数据计算在单独的处理器芯片中执行。相反,内存计算是一种新的计算范式,它寻求在内存网络中执行数据存储和数据计算。由于该方案可以在无需移动数据的情况下处理存储在内存网络本身中的大量数据,并且由于内存网络中的数据处理以高度并行的方式执行,因此功耗大大降低。因此,内存计算成为实现下一代低功耗人工智能半导体的有希望的技术之一。
??因此,内存计算的研究在世界范围内受到了广泛地关注。非易失性存储器,特别是RRAM(电阻式随机存取存储器)和PRAM(相变随机存取存储器),已经被积极地用于演示内存计算。相比之下,到目前为止,尽管MRAM具有运算速度、持久性和大规模生产等优点,但仍难以将另一种非易失性存储器(non-volatile?memory)用于内存计算。这一困难源于MRAM的低电阻,这使得MRAM在标准的内存计算体系结构中无法享有降低功耗的优势。
??三星电子的研究人员通过架构创新,解决了这一问题。具体来说,他们成功地开发了一种MRAM阵列芯片,通过用新的“resistance?sum”内存计算架构取代标准的“当前和”内存计算架构,解决了单个MRAM设备的小电阻问题。
【 展示|人脸识别准确率达93% 三星展示首款基于MRAM 的内存计算】??随后,三星电子研究小组通过运行该芯片进行人工智能计算,对其性能进行了测试。该芯片对手写数字的分类准确率达到98%,从场景中识别人脸的准确率达到93%。
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