ssd|UltraRAM的突破，使我们更接近统一RAM和存储解决方案兰开斯特

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这个下一代组件可以提供RAM的速度和SSD的存储能力。

新的芯片制造技术、更快的SSD存储、人工智能和机器学习的使用，都是有助于提高现代计算机性能和效率的最新创新。现在，英国兰开斯特大学的一个研究团队可能已经发明了下一代的全新技术。
它被称为“UltraRAM” ，它结合了RAM和SSD存储的优点，提供了一个超快版本的RAM ，关闭时不需要转储数据。但在继续描述“UltraRAM”之前，让我们先回顾一下今天最常用的两个组件。
如果你有一台现代的笔记本电脑或台式机，它很可能包含一个固态硬盘（SSD）。该组件使用闪存，称为非易失性组件，因为它在你关闭计算机后会保留信息。相反，如果你试图将文件保存到RAM（一种易失性存储器）中，一旦切断电源连接，文件就会立即消失。
由于这个原因，消费产品中的RAM只是在数据被处理之前短暂地存储数据。每当你打开一个文件或启动一个程序时，这些数据就会从你的SSD（或HDD）中取出，然后存入快速存取的RAM ，在那里这些数据可以快速地传递给CPU 。你也可以使用非易失性存储，比如SSD ，来作为RAM ，但是，即使是最快的存储选择也要比DRAM慢很多倍。
【ssd|UltraRAM的突破，使我们更接近统一RAM和存储解决方案】因此，我们将存储和RAM分开使用，前者将我们宝贵的文件保存几个月、一年或更长时间，而速度更快、更强大的内存，可以快速地读写到CPU ，但在没有电力的情况下缺乏保存数据的能力。
英国兰开斯特大学物理与工程系的科学家们，在一篇研究论文中描述了一种下一代非易失性RAM ，它被命名为UltraRAM ，可以在不供电的情况下存储文件，但可以利用DRAM的速度。总有一天，这种“两全其美”的组件可以同时作为计算机的存储和内存，这就是为什么它被称为“通用”内存类型。

研究人员写道：“超过 1000 年的推断保留时间和超过 10^7 次编程擦除周期的无退化耐久性测试证明，这些存储器是非易失性的，并且具有高耐久性。 ”
UltraRAM背后的科学和技术太复杂了，无法详细描述，所以我们鼓励那些想要了解更多的人去阅读研究论文。 DR版本是利用通常用于LED和激光器的化合物半导体的特定特性，来创建RAM/存储混合体，具有以相对较低的成本大规模生产的潜力。最终产品可能最终会进入我们今天使用的几乎所有设备，从智能手表到游戏机再到数据服务器。
这一切听起来非常鼓舞人心，但重要的是要记住，许多人都曾试图将这一RAM的圣杯推向市场，但都以失败告终。过去的尝试要么太昂贵、太慢，要么无法扩展。如果，兰开斯特大学的团队能够解决这些潜在的障碍，那么UltraRAM最终可能会改进我们的设备的操作方式。
“最终”是关键字：研究人员表示，他们将继续努力“提高外延质量，微调制造工艺，实施正常关闭的通道设计，并对器件进行规模调整。 ”
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