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of|这个美国高中生在车库里自己造出了芯片( 二 )

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随后将晶圆放在约95度的电热板上干燥1分钟用来除去剩下的溶剂，在溶剂干燥后会留下一层固态薄膜。

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然后将晶圆送入自制的无掩模光刻机中进行曝光，目的是将之前PS中的图像投影到芯片上，通过dlp投影仪把一些光学器件将图像缩小并投射至芯片。晶圆中心的蓝点是整个曝光场，它大约会持续9秒，当曝光一次结束后继续移动晶圆，以曝光其它区域。

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下一个步骤是显影。首先把晶圆放在一定百分比的氢氧化钾溶液中约一分钟，从而蚀刻掉暴露的光刻胶部分，接着用水洗去残留的显影剂，并用显微镜检查以确保一切正常，如果出现了问题可以把光刻胶层揭掉，然后用不同的曝光或显影时间再来一次。

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光刻的图像是在光刻胶层中形成的，下一步是要用蚀刻剂把图像转移到多晶硅层，因此暂时不需要光刻胶掩膜层，可以用丙酮将其剥离。

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随后对芯片进行清洁干燥，然后加上磷溶液并进行旋转，接着在一千多摄氏度的高温下烘烤45分钟，这样才能将磷原子转移到刚才用光刻胶形成的小井中，以形成mosfet的源极和漏极。

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接着重复旋涂、烘烤、显影的过程，制作出芯片的栅极层以及接触层。

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晶圆在高温步骤后表面会有一层绝缘的二氧化硅覆盖，因此在接触层掩膜结束后，还要用氢氟酸（美剧《绝命毒师》中的“化尸水”，虽然是弱酸但腐蚀性惊人，玻璃容器也能腐蚀，化工学子们有道“宁用硫酸盐酸硝酸不用氢氟酸”）或者三氟甲烷之类的试剂进行刻蚀，从而剥离绝缘体来确保通电。

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然后将晶圆放入真空室，来蒸发一个约1微米厚的铝层，然后再重复整个光刻过程，炫图曝光和显影，以形成金属层。

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最后给晶圆进行磷酸浴，以蚀刻残留的铝，一枚芯片就这样产生了。

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但这并不意味着整个芯片生产流程的完成，还需要对制作的芯片进行检查，例如测量栅极的长宽和层厚等参数；用探针台检测晶体管的完好程度。当然，这一步相当繁琐而且这些晶体管非常小，所以连接这些晶体管并不容易。

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最后，用一台上世纪80年代生产的老货惠普4145A精密半导体参数分析仪，来对晶体管进行电流、电压测试。

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Zeloof制造的晶体管测量后得到的N沟道mosfet的I-V曲线（电流、电压特性曲线，通常用作工具确定和理解组件或设备的基本参数，并且还可以用于在电子电路中对其行为进行数学建模），Zeloof表示最后结果还算不错。


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