长江存储|国产骄傲!长江存储芯片,存储密度远超三星、SK海力士、美光

众所周知,在存储芯片领域,不管是在DRAM内存,还是在NAND闪存上,三星、SK海力士、美光都是当之无愧的巨头,三家掌握着市场。
当然国产存储也是在奋起直追,比如长鑫存储主攻DRAM内存,目前也推出了DDR4颗粒,而长江存储已经推出了128层的闪存,基本上也追上了三星、SK海力士、美光的水平。

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而近日,有机构拆解了长江存储的一款128层TLC 3D闪存,发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm2,远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。
拆解的设备是Asgard(阿斯加特)的PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD,采用的是长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC闪存,其die尺寸(晶圆大小)为 60.42 mm2,折算下来存储密度达到了8.48 Gb/mm2。

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【 长江存储|国产骄傲!长江存储芯片,存储密度远超三星、SK海力士、美光】为何长江存储的存储密度这么高,这与长江存储的Xtacking架构有关,像三星等厂商的传统3D NAND架构中,相当于平面型结构,其中外围电路约占芯片面积的20~30%,这样面积大,存储密度就低了。
但Xtacking技术则是将外围电路置于存储单元之上,相当于是立体结构了,类似于双层的,所以面积更小,折算下来存储密度就高了。

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存储密度高,有什么用?我们知道存储芯片也是由晶圆制造出来的,一块晶圆能够制造多少块存储芯片,要看存储芯片的面积大小,面积大,那么切割出来的芯片就少,面积小,切割出来的芯片就多。
存储密度高,那么芯片的面积就变小了,那么一块晶圆能够切出来的芯片就变多了,这会有两个好处,一是成本降低了,这个比较容易理解,二是生产效率更高了,因为处理好同样一块晶圆,可以得到更多的存储芯片了。
据媒体报道称,长江存储正在研发192层的3DNAND闪存芯片,再结合Xtacking架构,有望在3D NAND技术上进一步取得领先。