光刻机|国产光刻机怎么没消息了？( 二 ) 纳米|芯片|阿斯麦尔

第三：双工件台，双工件台也有现成的，那就是自主研发的DWS系列。该双工件台的平均运动偏差为4.5纳米，标准运动偏差为7纳米，最大速度为1.1米/秒，最大加速度为2.4g 。正在研发DWSI系列，同样采用了磁悬浮平面电机驱动，不过换成了平面光栅干涉位移测量技术。在以上技术的加成下，就缩小了运动偏差，加速度，运动速度等数据。最终DWSI双工件台的平均运动偏差为2.5纳米，标准运动偏差为5纳米，最大速度为1.5米/秒，最大加速速度为3.2g 。国际先进光刻机的现状，国际最先进的光刻机制造厂家就是ASML ，当然了极紫外EUV光刻机的部件是相当精密的，需要全球主要发达国家的支持。第一:光源， ASML生产的极紫外EUV光刻机，采用了Cymer公司研发的波长为13.5纳米，功率为250W的激光等离子体光源。早期Cymer公司还属于美国，只不过最后被ASML收购了。

该光源主要有两大特点:第一，高达250瓦的功率，由于极紫外EUV光刻机使用的是反射式物镜系统，只有光源的功率足够高之后。当紫外光波被十多个反射镜的反射吸收之后，剩下的功率才可以满足光刻的要求。另外，光刻机光源的功率越高，刻录芯片的速度也就越快，那效率自然就很高。第二， 13.5纳米的较短极紫外波。众所周知，光刻机所用的光源的波长与最小制程工艺息息相关。由于芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有着密切的关系。而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关，当然光源的波长越短，曝光分辨率也就越高，制程工艺也就越小，科技含量也就越高。光源的波长越长，曝光分辨率越低，芯片制程工艺也就越大，技术含量就越少。如今手机和电脑等电子产品所用的芯片的制程工艺已经下探至4纳米，这技术含金量可是相当高的。

第二:物镜组，极紫外EUV光刻机使用后的是反射镜，而当反射镜的表面不光滑时。入射到镜面的光源就会被反射到各个方向，从而降低光源的聚合性，也就降低了光源的功率，很有可能无法满足刻录芯片的需求为了使光源被反射后，还具备较高的聚合性和较大的功率，所以就对反射镜的表面粗糙度有着苛刻的要求。 ASML的极紫外EUV光刻机，使用的是德国蔡司公司研发的反射镜。这些反射镜的表面镀了近百层由钼和硅制成薄膜，而薄膜的粗糙度控制在0.05纳米，比芯片的制程工艺还要小两个量级，制造难度还是相当大的。第三:双工件台，双工件台的作用就是承载着晶圆，主要是将光刻前的准备工作，和正在进行的光刻的芯片分隔开来。即，一个工件台上的晶圆在做曝光时，另一个工件台对晶圆做测量等曝光前的准备工作。当第一个工件台的曝光工作完成之后，两个工件台交换位置和职能。这样一来，就可以提高光刻机的生产速度，使用双工件台的光刻机，每小时可以处理200片晶圆。相对于使用单工件台的光刻机而言，生产效率提高了3倍。

ASML研发的极紫外EUV光刻机所用的就是，其自己研发的Twinscan系列双工件台，该双工件台的运动精度误差控制在1.8纳米。综上所述， ASML生产的极紫外EUV光刻机三大核心部件的研发难度是相当大的。就从全球来看，也只有区区一两个企业可以拿得出来。而除了以上三大核心部件外，还有掩膜台，掩膜板，光刻胶，操作系统等也比较重要。可见光刻机的研发生产，真的是一件难度比较大的事情，基本上可以成为当今世界上难度最大，复杂度最高的综合系统。通过对比国内外的光刻机三大部件可知:国内在光源的波长和功率，反射镜，双工件台的运行精度等还有较大的差距，不过ASML不准备听从美国的命令，想要对我国出口浸没式DUV光刻机，这里的意思就很明确了。当我国研制出浸没式DUV光刻机后，那ASML再想卖也没有用了，估计是他们听到了有关我国浸没式DUV光刻机的风声，想要在研发出现之前大赚一笔。从此来看，我国的浸没式DUV光刻机离出世也不远了。