【专利解密】消除裂缝求“生存” 中微半导体发明基片上生长缓冲层方案( 二 )
以上就是中微半导体发明的应用于MOCVD领域在基片上生长缓冲层的方法 , 在该方案的缓冲层生长过程中 , 边缘区域多晶结构的缓冲层中出现的裂缝不会沿着晶格结构延伸到中区域单晶结构的缓冲层中 , 从而可以大幅提高半导体器件的生产效率 。
关于嘉勤
文章图片
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司由曾在华为等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人组成 , 熟悉中欧美知识产权法律理论和实务 , 在全球知识产权申请、布局、诉讼、许可谈判、交易、运营、标准专利协同创造、专利池建设、展会知识产权、跨境电商知识产权、知识产权海关保护等方面拥有丰富的经验 。
【【专利解密】消除裂缝求“生存” 中微半导体发明基片上生长缓冲层方案】(校对/holly)
- 凯帕|德布劳内任意球打门,凯帕扑出皮球
- 分成|YY直播:2021年公会和主播分成超50亿
- 凌晨,南京市雨花台区地震!
- gtx1060|GTX1060上古神器?
- 打脸!华为在美国,用专利把英特尔、苹果、微软、高通打败了
- 微信上线“语音暂停”功能
- 《吉星高照》的谢怜杀青啦,半年的拍摄
- 封顶|雄安新区:城市计算(超算云)中心提前完成主体结构封顶
- meta|陈根:Meta或将发布新专利,为元宇宙助力
- |既能打造你的品牌又能促进销售的广告宣传方法?