三星|台积电5nm技高一筹三星不服：疯狂投入想要逆袭台积电|台积电5nm技高一筹|三星

近些年，在晶圆代工（Foundry）市场，三星一直没有放缓追赶行业龙头台积电的脚步，然而，在市占率方面，三星仍然没有缩小与台积电的差距，后者依然在小幅、稳步提升着。
目前，台积电约占全球晶圆代工市场56%的份额，三星则为17%左右，三星已经在这一市占率数字附近徘徊多年，一直难有明显提升。
在这种情况下，台积电在投资规模、市场影响力、技术先进性、良率等方面依然没有放松，仍在全情投入。不过，三星也没有丧失信心，特别是借近两年全球芯片短缺的东风，三星又祭出了一系列措施，以求在未来几年有较大发展。
三星再发力
近期，三星最大的一个动作就是高层大调整。这是在三星实控人李在镕出狱后做出的，目标是重振三星集团，发起高层人事部门大换血，破格调整高管，前所未有。
其中，三星全面撤换半导体、手机、消费电子三大事业主管，并将手机及消费电子事业合并，此举透露出三星集团经营重心已转向半导体，让投资人信心大增。
特别值得注意的是，有8名四十多岁的副社长晋升者，从该公司主力事业半导体事业（DS）部来看，存储事业部商品企划组副社长Young-su Son（47岁）、Foundry事业部销售团队副社长Seung-cheol Shin（48岁）、美洲总管副社长Chan-ik Park（49岁）等晋升。
半导体是三星的重中之重，其中，存储是其传统优势业务板块，而Foundry是追赶龙头的中坚力量，也是未来发力的重点，高层年轻化可以提升干劲儿和活力。
在制程工艺方面，已经量产的最先进节点是5nm，这方面，三星明显落后于台积电，特别是在成熟度和良率方面，去年，采用三星5nm制程的高通Snapdragon 888就出现过热问题，也输给台积电5nm制程的苹果A14、M1芯片效能表现，今年苹果A15 芯片效能更远胜S888 。
在4nm方面，三星宣布4LPP将在2022年满足该公司客户的要求。由于4LPP依赖于熟悉的FinFET，三星的客户使用此节点将容易得多。
此前，三星将其4LPE视为其7LPP工艺的演进工艺，也许这是因为4nm比5nm具有非常明显的PPAc（功率，性能，面积，成本）优势，或者因为存在实质性的内部变化（例如，新材料，极紫外光刻的使用率显著提高等）。
据悉，三星在2021年同时提高了其4LPE和5LPP技术的产量，这使其能够为不同的芯片设计提供不同的PPAc优势。
3nm方面，三星计划在2022上半年推出3nm，虽然相较于台积电3nm制程同年下半年才会推出，但台积电7月法说指出，主要是配合客户时程。目前，三星晶圆代工主要客户包括高通、IBM、显卡大厂NVIDIA，以及自家的处理器芯片。
李在镕8月假释出狱后，立即宣布未来3年投入240兆韩元(约2050亿美元)，巩固该公司在后疫情时代科技产业的优势地位，称该公司的3nm制程采用环绕闸极技术（Gate-All-AroundGAA）不会输给竞争对手、也就是台积电。
三星3nm制程研发规划分为2个阶段，第一代的GAA GAE(GAA-Early)与第二代3nm GAP(GAA-Plus)，2019年称3nmGAE制程2020年底前展开风险试产，2021年开始量产，但目前未见踪影，外界认为将延迟到2023年才会量产。
三星就算宣称3nm正式流片，预计2022年上半年量产，但跟先前IBM宣称推出全球首款2nm GAA技术，虽然证实技术的可行性，重点仍在于制程的良率问题，能否脱离实验室大规模量产。
三星也强调，与5nm制程相比，其首颗3nm制程GAA技术芯片面积将缩小35%，性能提高 30% 或功耗降低 50% 。三星也表示3nm制程良率正在逼近4nm制程，预计2022 年推出第一代 3 nm 3GAE 技术，，2023 年推出新一代3 nm 3GAP技术。
在制程工艺方面，三星一直与IBM保持着密切的合作。近期，这两家公司宣布推出了一种创新技术，名为VTFET，它的凸出特点是允许晶体管在垂直方向上堆叠。不仅有助于缩Chiplet的尺寸，还能够使之变得更加强大和高效。

三星|台积电5nm技高一筹 三星不服：疯狂投入想要逆袭

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